| 型号：SDIN2B2-2G | 类别：存储器 | 制造商：SanDisk |
| 封装：169-FBGA | 描述：IC INAND FLASH 2GB 169FBGA | |
详细参数
| 类别 | 存储器 |
|---|---|
| 描述 | IC INAND FLASH 2GB 169FBGA |
| 系列 | - |
| 制造商 | SanDisk |
| 格式_存储器 | 闪存 |
| 存储器类型 | 闪存 - NAND |
| 存储容量 | 16G（2G x 8） |
| 速度 | 50MHz |
| 接口 | SD/SPI 串行 |
| 电压_电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度 | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳 | 169-FBGA |
| 供应商器件封装 | 169-BGA（12x18） |
| 包装 | 托盘 |
供应商
| 深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
| 深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
| 深圳市励芯恒智能科技有限公司 | 雷先生0755-23487994 |
| 深圳市毅创腾电子科技有限公司 | 张小姐86-755-83219286 (FPGA原厂渠道）// 83210909 (CPLD原厂渠道） |
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
| 北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
SDIN2B2-2G相关型号
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RES 1/16W 1.43K OHM 0.1% 0402
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1206（3216 公制）
RES 5.11 OHM 1/8W 0.1% 1206
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0603（1608 公制）
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轴向
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圆盘 14mm
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通孔电阻器
Stackpole Electronics Inc
轴向
RES MF 1/2W 47.5 OHM 1% AXL
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FET - 阵列
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8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
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1206（3216 公制）
RES 619 OHM 1/8W 0.1% 1206
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0603（1608 公制）
RES 1/16W 10 OHM 0.1% 0603
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通孔电阻器
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Stackpole Electronics Inc
1206（3216 公制）
RES 825 OHM 1/8W 0.1% 1206
- RNCS0603BKE121R
芯片电阻 - 表面安装
Stackpole Electronics Inc
0603（1608 公制）
RES 1/16W 121 OHM 0.1% 0603
- ROV14-561K
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IC INAND FLASH 1GB 169FBGA
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RES MF 1/2W 4.32K OHM 1% AXL
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8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
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196-LBGA
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0603（1608 公制）
RES 1/16W 150K OHM 0.1% 0603
- RNCF1206BTE8K45
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1206（3216 公制）
RES 8.45K OHM 1/8W 0.1% 1206
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- RNF12FTD4K42
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通孔电阻器
Stackpole Electronics Inc
轴向
RES 51.1 OHM 1/4W .1% AXIAL
- SCFF06210
接线座 - 接头，插头和插口
Amphenol PCD
196-LBGA
CONN PLUG 6POS .200＂ SPRNG CLAMP
- SI4914BDY-T1-GE3
FET - 阵列
Vishay Siliconix
8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
- RNCS0603BKE150R
芯片电阻 - 表面安装
Stackpole Electronics Inc
0603（1608 公制）
RES 1/16W 150 OHM 0.1% 0603
